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电子元器件详细资料 » IC[28046] » SI3905DV-T1-E3
型号:SI3905DV-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH D-S 8V 6-TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V
电流_连续漏极(Id)0a025000C-
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C125 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大-
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳诚思涵科技有限公司朱先生0755-83015506-23947236
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SI3905DV-T1-E3相关型号

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